CMP润滑方程的多重网格法求解  

作　　者：张朝辉[1] 雒建斌[1] 温诗铸[1] 

机构地区：[1]清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084

出　　处：《自然科学进展》2003年第11期1224-1227,共4页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59735110);国家杰出青年科学基金(批准号:50025515)资助项目

摘　　要：化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是用于获取全局和局部高级别平面度的技术,其作用机理包含流体动力作用.求解CMP的润滑方程有助于对其作用机理的了解和认识.文中利用线松弛技术和多重网格技术进行求解,并考察了不同输入参数下的载荷与转矩等的变化情况.

关 键 词：CMP润滑方程 多重网格法 化学机械抛光 线松弛 全网格近似 集成电路 晶片 平面度 流体动力 微电子产业 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]