InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究  

Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches

作　　者：林维涛[1] 阮成礼[1] 杨宏春[1] 

机构地区：[1]电子科技大学物理电子学院,成都610054

出　　处：《电子科技大学学报》2003年第6期649-651,共3页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：国家863基金资金资助项目;编号:2002AA837030;国家重点实验室基金资助项目;编号:514250201DZ02;总装武器装备预研基金资助项目

摘　　要：利用高阻特性的InP:Fe材料,制成间隙分别为2mm和3mm的横向型光导开关,在不同高压情况下,用ns和ps光脉冲触发进行实验研究,并对实验结果进行分析,得到了响应速度快、脉冲宽度窄、性能稳定的电脉冲信号。该实验不仅可以应用于超宽带电磁脉冲的产生方面,同时也为进一步的理论分析研究提供了依据。In this paper,2mm-gap and 3mm-gap lateral high resistive InP:Fe Photoconductive semiconductor switches are fabricated.These switches are triggered by nano-second and pico-second laser pulse. Experiment are given out and a fast time,narrow pulse duration and stable performance waveform is received.This experiment not only can be applied in Ultra-wideband signals generation but also supplies important reference for the theory investigation.

关 键 词：光导开关 超短电脉冲 实验研究 横向型 

分 类 号：TN201[电子电信—物理电子学]