MgO衬底NbN/AlN/NbN多层膜的制备  

FABRICATION OF NbN/AlN/NbN TRILAYERS ON MgO SUBSTRATES

作　　者：施建荣[1] 康琳[1] 蔡卫星[1] 陈亚军[1] 吉争鸣[1] 吴培亨[1] 

机构地区：[1]南京大学超导电子学实验室,南京210093

出　　处：《低温物理学报》2003年第A01期272-275,共4页Low Temperature Physical Letters

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (G19990 646);国家高技术研究发展计划资助的课题~~

摘　　要：本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN/AlN/NbN三层结构的技术工艺 ,为制备All NbN的NbN/AlN/NbNSIS隧道结作准备 .我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜 ,并对其超导电性做了初步的研究 ;又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜 .我们利用磁控溅射方法制作NbN/AlN/NbN多层薄膜 ,然后对制备SIS隧道结进行了一些探索 .In this work we discuss the fabrication of NbN/AlN/NbN trilayers that is prepared for making All-NbN(NbN/AlN/NbN) superconductor-insulator-superconductor(SIS) tunnel junctions. We deposit single crystal NbN with DC magnetron sputtering device at room temperature, and investigate the superconducting properties of NbN film. We deposit AlN by using radio-frequency magnetron sputtering which shows a good epitaxial film with (101) orientation. We fabricate NbN/AlN/NbN trilayers with magnetron sputtering, and do some work for preparing SIS tunnel junctions of excellent performance.

关 键 词：氧化镁衬底 氮化铌/氮化铝/氮化铌多层膜 磁控溅射 SIS隧道结 射频磁控溅射 超导薄膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理]