低阻硅基厚膜聚酰亚胺上共面波导的损耗特性  

Loss Performance of CPW with Thick Polyimide on Low-resistivity Si

作　　者：李炜[1] 石艳玲[1] 忻佩胜[1] 朱自强[1] 赖宗声[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子科学技术系,上海200062

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第3期306-310,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家 973项目<集成微光机电系统研究>(G19990 3 3 10 5 );国家自然科学基金 (698760 12 );国家杰出青年基金(69975 40 9);上海 -应用材料研究与发展基金项目 (0 10 3 );上海市重点科学项目 (0 12 2 610 2 8);上海市重点学科项目 (2 0 0 1年 )的资助

摘　　要：制备了一种低阻硅基厚膜聚酰亚胺上的高性能共面波导传输线 ,并从理论上分析了传输线损耗的成因及其计算方法。聚酰亚胺膜厚 1 1 .5 μm的低阻硅 (0 .5 Ω·cm)上的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为3 .5 d B/cm。然而 ,相同衬底上 ,无聚酰亚胺膜的共面波导传输线在 1 0 GHz下插入损耗为 5 0 d B/cm,损耗特性明显比前者差。测试结果表明聚酰亚胺层的介入能有效地改善传输线的损耗特性 ,且损耗随着聚酰亚胺膜厚的增加而降低。A kind of high p e rformance CPW transmission line on low r esistivity silicon covered with polyimid e is produced in this paper, and the pro creant reason and the calculation of CPW loss are analyzed theoratically. For ex ample, the attenuation at 10 GHz is 3.5 dB/cm for the CPW line with a 11.5 μm th ick polyimide on silicon (0.5 Ω·cm), whi ch is much lower than 50 dB/cm of lines made directly on the same substrate with out polyimide. The result shows that the polyimide interface layer can reduce th e loss of transmission lines effectively , moreover the thicker the polyimide is, the lower the transmission loses.

关 键 词：共面波导 插入损耗 聚酰亚胺 损耗特性 大规模集成电路 传输线 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]