锑化铟薄膜磁阻式振动传感器  

InSb Film Magnetoresistive Vibration Sensor

作　　者：郑鑫[1] 黄钊洪[2] 

机构地区：[1]华南师范大学信息光电子科技学院量子电子学研究所 [2]华南师范大学信息光电子科技学院

出　　处：《传感器世界》2003年第11期6-8,23,共4页Sensor World

基　　金：广东省自然科学基金重点项目(963058);广东省高新技术产业发展资金(成果孵化)项目(98FF01)

摘　　要：本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测,其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。A new vibration sensor made of InSb-In eutectic film magnetoresistor is designed. Compared with piezoelectric ceramic vibration sensor or inductance vibration sensor, this vibration sensor has higher sensibility, more widely frequency response. By experience, the signal-to-noise of the output electric signal of the vibration sensor is more than 60dB. This vibration sensor can be used as vibration detector、guard against theft warning system、vibration lock、movement controlled switch、autocontrol switch, etc.

关 键 词：振动传感器 锑化铟 共晶体薄膜 磁阻效应 频率响应 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]