10 Gb/s 0.18μm CMOS时钟恢复芯片  

10 Gb/s 0.18 μm CMOS Clock Recovery IC

作　　者：袁晟[1] 冯军[1] 王骏峰[1] 王志功[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《电子器件》2003年第4期434-437,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家863计划光电子主题项目(编号:2001AA312010)

摘　　要：介绍了基于0 18μmCMOS工艺的10Gb/s时钟恢复电路的设计。核心电路采用预处理加简单锁相环的结构。模拟结果表明,该电路能工作在10GHz频率上,输入信号峰值0 4V时,同步范围可以达到270MHz,总功耗210mW。This paper introduces the design of a 10 Gb/s clock recovery circuit to be fabricated in 0.18 um CMOS technology. Employing a preprocessor with a simple PLL, the circuit exhibits a pull-in-range of 270 MHz at 10 GHz and the total power is 210 mW(when the amplitude of input signal is 0.4 V).

关 键 词：预处理 时钟恢复 CMOS 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]