一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计  

Design of a new 900MHz CMOS low noise amplifier

作　　者：危长明[1] 陈迪平[1] 王镇道[1] 陈永洁[1] 

机构地区：[1]湖南大学应用物理系,湖南长沙410082

出　　处：《半导体技术》2004年第1期63-67,共5页Semiconductor Technology

摘　　要：对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为150MHz, S11达到-38dB,消耗的电流为5mA。A new 900MHz CMOS low noise amplifier (LNA) implemented with 0.6mm standardCMOS technology is presented. After a detailed analysis of the relation between the noise figure(NF) and the width of the input MOSFET, a new single-input LNA is given which achieves theperformance of its full differential counterpart .At 900MHz, the NF is 1.5dB, power gain is greater than22dB, S11 achieves -38dB and the 1dB compression point is -18dBm.

关 键 词：CMOS 低噪声放大器 噪声系数 射频集成电路 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]