危长明

作品数：2被引量：5H指数：1
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一种900MHz CMOS低压高线性度混频器的设计被引量：4
《半导体技术》2005年第10期65-69,共5页危长明 陈迪平 陈弈星 
针对无线通讯设备面向高性能、低成本、低电压、低功耗和小体积的应用,对基本的CMOS Gilbert混频器构架加以改进。改进后的混频器在3V下具有高线性度(IIP3=7.4dBm),隔离度较高,提供13dB的变频增益,而噪声也在12.5dB以下。
关键词：混频器 线性度 噪声系数 低电压 吉尔伯特 
一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计被引量：1
《半导体技术》2004年第1期63-67,共5页危长明 陈迪平 王镇道 陈永洁 
对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 d...
关键词：CMOS 低噪声放大器 噪声系数 射频集成电路 
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