低电压并五苯薄膜场效应晶体管  

Low voltage pentacene thin film field-effect transistor

作　　者：王伟[1] 石家纬[1] 张宏梅[1] 梁昌[1] 全宝富[1] 郭树旭[1] 刘明大[1] 方俊峰[2] 马东阁[2] 

机构地区：[1]集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学与工程学院,长春130023 [2]高分子物理与化学国家重点实验室中国科学院长春应用化学研究所,长春130022

出　　处：《吉林大学学报（理学版）》2004年第1期107-109,共3页Journal of Jilin University:Science Edition

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60176022);吉林省自然科学基金(批准号:20020634);吉林大学创新基金.

摘　　要：利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.We have fabricated pentacene organic thin-film field-effect transistors (TFTs) by all-evaporation method. In this method, the active layer and the dielectric layer were fabricated by evaporation using pentacene and the poly(methylmethacrylate) (PMMA), respectively. The devices have a low operating voltage ranges and a higher mobility. The device operating mechanism has been discussed.

关 键 词：并五苯薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 聚甲基丙烯酸甲酯 场效应迁移率 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]