高占空比大功率激光器阵列  

High Duty-cycle High Power Semiconductor Laser Array

作　　者：谢红云[1] 安振峰[2] 陈国鹰[1] 杨红伟[2] 赵润[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息学院,天津300130 [2]信息产业部电子第十三研究所,河北石家庄050002

出　　处：《中国激光》2004年第1期22-24,共3页Chinese Journal of Lasers

摘　　要：设计并研制了 1cm长折射率渐变分别限制单量子阱 (GRIN SCH SQW)单条激光器阵列。占空比为 2 0 % ,在70A工作电流下 ,输出功率达到 6 1.8W ,阈值电流密度为 2 2 0A/cm2 ,斜率效率为 1 1W/A ,激射波长为 80 8 2nm。High duty-cycle high power 1 cm-bar laser array has been gained. The duty-cycle achieves 20%. The output power is up to 61.8 W at 70 A. The threshold current density J_ th is 220 A/cm 2 and the slope efficiency η_s is 1.1 W/A. The laser wavelength is 808.2 nm.

关 键 词：激光技术 高占空比 大功率 半导体激光器 大功率激光器 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]