低能离子束对拟南芥诱变效应的研究  

Study on Mutation Effect of Low Energy Ion Beam to Arabidopsis

作　　者：谷运红[1] 余增亮[2] 秦广雍[2] 霍裕平[2] 

机构地区：[1]中国科学院等离子体物理研究所离子束生物工程学重点实验室,合肥230031 [2]郑州大学离子束生物工程省重点实验室,郑州450052

出　　处：《高技术通讯》2003年第12期33-37,共5页Chinese High Technology Letters

基　　金：国家自然科学基金 ( 19890 3 0 0 );国家"十五"科技攻关 ( 2 0 0 1BA3 0 2B 0 3 )资助项目

摘　　要：依据不同生态型的拟南芥接受不同剂量、不同能量以及不同类型离子的注入 ,种子成苗率受到的影响程度的不同 ,选定适合于拟南芥诱变、转化的离子能量和剂量。然后结合RAPD方法检测了离子注入拟南芥种子在当代和后代中引起的变异情况 ,结果是离子束在当代中可引起DNA水平上丰富的变异 ,突变频率较高 ,并且某些变异条带可传递至后代。Survival rate of arabidopsis seeds were different with different implantation dose,different ions' energy,different ions' type. According to the survival rate , the mutation or transformation dose and ions' energy could be decided. And we measured the mutation aroused by ions implantation in M1 and M2 using RAPD. The results were that ions could bring abundant DNA polymorphism bands in M1, the mutation rate was rather high, and some polymorphism bands could be found in M2.

关 键 词：拟南芥 诱变效应 RAPD法 DNA 基因变异 离子束诱变育种技术 

分 类 号：Q943[生物学—植物学]