金刚石薄膜的形核研究  

Research of the Diamond Film Nucleation

作　　者：孙秀平[1] 李超[1] 张先徽[1] 冯克成[1] 曲直[2] 

机构地区：[1]长春理工大学应用理学院,长春130022 [2]长春工程学院,长春130021

出　　处：《长春理工大学学报（自然科学版）》2003年第4期78-80,共3页Journal of Changchun University of Science and Technology(Natural Science Edition)

基　　金：协作国家自然科学基金项目(50 0 72 0 4 5)

摘　　要：本文介绍了当前金刚石薄膜形核的现状及用热丝化学气相沉积法在不同的衬底上沉积金刚石膜 ,对Si、Ni、Cu三种衬底生长的金刚石膜进行研究如何增大形核密度、提高形核质量。得到了制备高密度和高质量的金刚石膜的方法。In this paper,the situation of the diamond film nucle at ion was introuced,the nucleation on different substrates in HFCVD(Hot Filament Chemical Vapor Deposition) system were deposited. The improvement of the diamond nucleation on Si, Ni,Cu was investigated, get the method of high density and h igh quality depositing diamond film.

关 键 词：热丝化学气相沉积 形核 金刚石薄膜 外延生长 

分 类 号：TN304.18[电子电信—物理电子学] O484[理学—固体物理]