等离子体淀积二氧化硅的抗电特性  

Anti-electronic Properties of PECVD SiO_2

作　　者：许春芳[1] 范焕章[1] 邵家瑜 

机构地区：[1]华东师范大学电子系,上海200062

出　　处：《微电子学与计算机》1992年第7期14-16,20,共4页Microelectronics & Computer

基　　金：上海市科委资助

摘　　要：文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。In this thesis, anti-electronic properties of PECVD SiO_2 is studied, The effect of deposition temperature and annealing condition ou the properties has been observed.

关 键 词：等离子体淀积 二氧化硅 抗电特性 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]