等离子体淀积

作品数：10被引量：6H指数：2
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添加H_2对SiH_4/N_2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响
《材料导报》2014年第24期9-13,共5页景亚霓 钟传杰 
国家自然科学基金(60776056)
研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜(淀积的衬底温度为400℃)电学和光学性能的影响。实验结果表明,加入H2使氮化硅薄膜的光学带隙增加,其折射率以及在氢氟酸缓冲液中腐蚀速率减小,而XPS测试的N、Si原...
关键词：等离子增强化学气相淀积 氮化硅 氢气添加 光学带隙 高频电容-电压特性 
半导体芯片中等离子损伤的解决方案被引量：1
《电子与封装》2012年第10期41-45,共5页周乾 程秀兰 
在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄...
关键词：半导体技术 等离子体损伤 通孔蚀刻 高密度等离子体淀积 
采用磁桶和同心等离子体源及材料源的等离子体淀积方法及设备
《表面技术》2006年第6期50-50,共1页
将导电金属涂敷材料从磁控溅射靶上溅射出来，利用带有射频能量的高密度等离子体使溅射出的导电金属涂敷材料在真空处理空间内离子化，射频耦合能量来自线圈，线圈位于真空室外面、绝缘窗后面，真空室壁面上的绝缘窗位于溅射靶的开口的...
关键词：等离子体淀积 等离子体源 磁控溅射靶 高密度等离子体 设备 料源 涂敷材料 等离子体密度 
激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究
《四川工业学院学报》2001年第4期66-67,共2页张贵银 荆一东 
用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式。分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响 。
关键词：激光诱导等离子体化学气相淀积 薄膜面积 淀积速率 薄膜 制备 
等离子体淀积氢化纳米锗的阳极氢覆盖率的影响(英文)
《南京大学学报（自然科学版）》2000年第1期123-124,共2页皮尔 徐骏 李伟 陈坤基 王广厚 冯端 
NSFC!(GrantNo :6 9890 2 2 5 );TheDanishNaturalScienceResearchCouncil
关键词：纳米锗 覆盖率 等离子体淀积 氢化纳米锗 阳极 
等离子体淀积氮化硅的研究进展
《微电子学与计算机》1992年第8期7-9,共3页许春芳 
国家自然科学基金
介绍了等离子体淀积氮化硅薄膜的最新研究进展,包括薄膜的生长工艺、淀积机理、应用及膜中氢的分析。
关键词：氮化硅 等离子体 淀积 
等离子体淀积二氧化硅的抗电特性被引量：2
《微电子学与计算机》1992年第7期14-16,20,共4页许春芳 范焕章 邵家瑜 
上海市科委资助
文章报道了等离子体二氧化硅的抗电特性研究,并指出生长温度和退火条件对抗电特性有直接影响。
关键词：等离子体淀积 二氧化硅 抗电特性 
喇曼光谱学研究固体和薄膜方面的进展
《液晶与显示》1991年第3期15-16,共2页李碧琳 
本文综述了从1987年末到1989年末两年间嗽曼光谱学在薄膜,半导体,超导体和固体方面的重要进展,这里涉及的许多材料是与固体发光研究密切相关的。一、薄膜和表面在簿膜方面。
关键词：喇曼光谱学 固体发光 半导体层 等离子体淀积 碳膜 沉积法 应变层 光学性质 晶格失配 化学计量 
等离子体淀积薄膜中射频缺陷研究
《应用科学学报》1990年第3期207-212,共6页李丹之 赵冷柱 劳凤英 
根据理论和实验结果的分析,提出了平板式等离子体生长Si_3N_4时存在两种主要射频缺陷;一是固定正电荷中心,主要起源于Si—O和Si—Si断键;另一是负电荷中心,它是Si—H离化所致.这两种缺陷只有在一定条件下退火方可完全消除.
关键词：等离子体 薄膜 射频缺陷 PECVD 
激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1989年第4期280-285,共6页董丽芳 傅广生 李晓苇 韩理 张连水 吕福润 
国家自然科学基金
采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立...
关键词：激光 等离子体 淀积 硅薄膜 动力学 
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