等离子体淀积氮化硅的研究进展  

The Progress of Research on PECVD SiN Films

作　　者：许春芳[1] 

机构地区：[1]华东师范大学电子系,上海200062

出　　处：《微电子学与计算机》1992年第8期7-9,共3页Microelectronics & Computer

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：介绍了等离子体淀积氮化硅薄膜的最新研究进展,包括薄膜的生长工艺、淀积机理、应用及膜中氢的分析。This thesis concerns the latest progress of the research on PECVD SiN film including the growth process, the deposition mecharism, the wide applications and the analysis of hydrogen in the films.

关 键 词：氮化硅 等离子体 淀积 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]