高密度等离子体

作品数：61被引量：50H指数：3
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高密度等离子体钝化层中电弧放电问题的改善
《集成电路应用》2020年第6期19-21,共3页田守卫 孙洪福 胡海天 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1700223)。
分析表明,晶圆的电弧放电现象在高密度等离子体钝化层制程中时常发生,随着半导体关键尺寸的减小,电弧放电的概率明显增加,尤其表现在0.13μm及以下晶圆制造过程中。而晶圆一旦发生电弧放电,会严重影响晶圆的良率及可靠性,所以控制及降...
关键词：集成电路制造 晶圆 高密度等离子体 电弧放电 钝化层 溅射率 
大功率无电极高密度等离子体电磁推进概述被引量：6
《中国空间科学技术》2019年第5期37-48,共12页刘莉娟 温晓东 孙新锋 张天平 郭宁 
国家自然科学基金(11802111,61701209,61801201);国防科工局基础研究与前沿技术重点突破项目(JCKY2018203B030);兰州空间技术物理研究所自主创新研发项目YSC0728;甘肃省科技资助计划(18JR3RA412);中国航天科技集团有限公司自主研发项目(2018-686-15);民用航天预演项目D010305
无电极高密度等离子体电磁推进技术已成为未来深空探测、载人航天和货运、太阳能电站以及航天器在轨服务与维护等空间任务中极具竞争力的核心推进技术之一。在梳理不同无电极等离子体电磁加速机制基础上,开展大功率无电极高密度等离子...
关键词：大功率 无电极 电磁加速 洛伦兹力 旋转磁场加速 等离子体团 电磁推进 
电磁波在高密度等离子体微柱腔体结构中的新传输模式
《物理学报》2018年第1期196-201,共6页焦蛟 童继生 马春光 郭佶玙 薄勇 赵青 
国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA7022016);国家自然科学基金(批准号:11275045);四川省科技支撑计划(批准号:2013GZ01333)资助的课题~~
超高声速飞行器再入过程中会因为等离子体鞘层而产生通信中断,俗称"黑障".近些年人们针对黑障通信的研究虽取得了一些成果,但仍然没能从根本上解决问题.本文从电磁波在高密度等离子体柱中的传输机理研究出发,借鉴二维光子晶体和表面波...
关键词：高密度等离子体微柱 光子晶体 表面波局域耦合 传输模式 
哈尔滨市国际技术转移服务中心
《技术与市场》2017年第5期387-387,共1页
已生产的多功能等离子体加速器可用于粉末材料的处理、表层喷涂及表面改性。具有极间衬管及阳极漫射电弧的等离子流发生器可用于以下各项：可喷涂各类粉末状材料，主要是耐火材料；等离子处理粉末材料，包括球化处理、硬化处理及其它；...
关键词：服务中心 技术转移 哈尔滨市 高密度等离子体 等离子流发生器 国际 粉末材料 表面改性 
磁场与密度对等离子体柱中螺旋波及能量沉积影响的数值研究
《真空科学与技术学报》2016年第11期1286-1294,共9页李文秋 王刚 相东 苏小保 
考察在高密度、强磁化径向非均匀等离子体柱中,在径向等离子体密度分布呈不同抛物线型轮廓及轴向静磁场不断增大的情况下,等离子体柱内右旋螺旋波与左旋螺旋波的传播性质及其径向、轴向能量沉积特性。采用数值方法求解基于Maxwell方程...
关键词：螺旋波 磁化等离子体 能量沉积 高密度等离子体 
高密度等离子体淀积工艺对颗粒度的影响被引量：1
《上海工程技术大学学报》2016年第2期122-127,共6页顾梅梅 李洪芹 
高密度等离子体(High Density Plasma,HDP)淀积工艺具有卓越的沟槽填充性能,广泛应用于深亚微米及更先进的集成电路制造的关键工艺环节.由于其淀积与溅射相结合的工艺特点,HDP中颗粒水平直接影响器件量产的良率与可靠性,是HDP工艺中的...
关键词：高密度等离子体 化学气相淀积 淀积工艺 颗粒度 
HDP介质淀积引起的新天线效应及损伤机理被引量：3
《半导体技术》2015年第12期921-924,共4页黄红伟 杭弢 李明 
超大规模集成电路设计和制造过程中,基于栅氧化层击穿的天线效应已得到广泛研究。从一个数模转换电路的漏电失效案例分析着手,利用电性分析、物理失效分析、工艺排查结合电路设计分析等手段,研究了一种与栅氧化层无关的天线效应。结果...
关键词：天线效应 高密度等离子体(HDP) 失效分析 模拟集成电路 设计规则 
专利
《中国钼业》2014年第3期42-42,共1页
本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体（如ICP、TCP等）干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2．63μm／...
关键词：高密度等离子体 刻蚀工艺 专利 各向异性刻蚀 MEMS器件 主体材料 金属钼 能量离子 
高纵横选择比低损伤多晶硅栅的工艺实现被引量：2
《半导体技术》2013年第7期536-539,共4页苏延芬 苏丽娟 胡顺欣 邓建国 
分析了采用微波高密度等离子体刻蚀(HDP)系统刻蚀实现高纵横向刻蚀选择比、低等离子体损伤、精细线条尺寸的MOSFET多晶硅栅的可行性。研究了刻蚀用气体中CH4和SF6等离子体分别在多晶硅栅刻蚀当中的作用及其分别对刻蚀速率、多晶硅栅侧...
关键词：微波高密度等离子体(HDP) 纵横向刻蚀选择比 等离子体损伤 聚合物清洗 终点检测(EPD) 
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第3期280-283,共4页刘海琪 王泉慧 栗锐 任春江 陈堂胜 
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工...
关键词：高密度等离子体化学气相淀积 低漏电 高击穿电场 电容 
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