刘海琪

作品数：4被引量：9H指数：2
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发文主题：高电子迁移率晶体管氮化镓步进可靠性场板更多>>
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低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第3期280-283,共4页刘海琪 王泉慧 栗锐 任春江 陈堂胜 
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工...
关键词：高密度等离子体化学气相淀积 低漏电 高击穿电场 电容 
0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第5期433-437,共5页任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提...
关键词：I线步进光刻 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 难熔栅 
GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第5期438-441,488,共5页刘海琪 王泉慧 焦刚 任春江 陈堂胜 
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔...
关键词：背面通孔 氮化镓/碳化硅 ICP刻蚀 可靠性 
InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究被引量：3
《固体电子学研究与进展》2011年第2期120-123,共4页刘海琪 周建军 董逊 陈堂胜 
通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为260 m...
关键词：铟铝氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 薄势垒层厚度 
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