王泉慧

作品数：7被引量：11H指数：2
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：高电子迁移率晶体管HFET场板氮化镓铝镓氮更多>>
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0.15μm GaN HEMT及其应用被引量：5
《固体电子学研究与进展》2013年第3期215-219,共5页任春江 陶洪琪 余旭明 李忠辉 王泉慧 王雯 陈堂胜 张斌 
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光...
关键词：铝镓氮 氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 毫米波功率单片 
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
《固体电子学研究与进展》2013年第3期280-283,共4页刘海琪 王泉慧 栗锐 任春江 陈堂胜 
介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工...
关键词：高密度等离子体化学气相淀积 低漏电 高击穿电场 电容 
0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用被引量：5
《固体电子学研究与进展》2011年第5期433-437,共5页任春江 王泉慧 刘海琪 王雯 李忠辉 孔月婵 蒋浩 钟世昌 陈堂胜 张斌 
报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提...
关键词：I线步进光刻 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 场板 难熔栅 
GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2011年第5期438-441,488,共5页刘海琪 王泉慧 焦刚 任春江 陈堂胜 
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔...
关键词：背面通孔 氮化镓/碳化硅 ICP刻蚀 可靠性 
AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
《固体电子学研究与进展》2004年第1期142-144,共3页焦刚 曹春海 薛舫时 杨立杰 王泉慧 王柏年 金龙 张卫红 沈波 周玉刚 郑有炓 
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· c...
关键词：欧姆接触 工艺兼容性 ALGAN/GAN 异质结构 HFET 
高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2002年第2期231-234,共4页陈堂胜 杨立杰 王泉慧 李拂晓 陈效建 
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于...
关键词：HFET 功率放大器 高效率 异质结 微波场效应晶体管 单片微流集成电路 砷化镓 铟镓砷 
多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关
《固体电子学研究与进展》1997年第4期414-414,共1页陈继义 蒋幼泉 陈堂胜 刘琳 王泉慧 吴禄训 李祖华 
关键词：砷化镓 MMICDPDT 功率开关 
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