微波场效应晶体管

作品数：7被引量：3H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：张进心吴咏诗王安国马素芝徐立生更多>>
相关机构：电子工业部天津大学中国电子科技集团公司第十三研究所南京电子器件研究所更多>>
相关期刊：《电子科技文摘》《电子元器件应用》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2002年第2期231-234,共4页陈堂胜 杨立杰 王泉慧 李拂晓 陈效建 
研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于...
关键词：HFET 功率放大器 高效率 异质结 微波场效应晶体管 单片微流集成电路 砷化镓 铟镓砷 
晶体管、MOS器件
《电子科技文摘》2000年第8期27-30,共4页
Y2000-62067-215 0012685微波场效应晶体管直流与交流特性侧墙效应的实验证据=Experimental evidence of side-wall effects on mi-crowave-FET DC and AC performances[会,英]/Chen,H.R.& Huang,G.L.//1998 IEEE InternationalConferen...
关键词：异质结双极晶体管 多晶硅薄膜晶体管 微波场效应晶体管 高电子迁移率晶体管 电子器件 交流特性 集成电路 超晶格 谐振隧道 实验证据 
通信卫星用GaAs微波场效应晶体管的可靠性快速评价技术
《电子元器件应用》2000年第6期20-21,共2页徐立生 马素芝 何建华 
一、引言 GaAs微波场效应晶体管是通信卫星转发器中的关键器件,除了电性能指标要求高以外,还要求高可靠、长寿命。目前,国际上大型通信卫星都装有十几个C波段和Ku波段转发器,要求在轨寿命为十五年。若采用常规的可靠性定级试验方法,需...
关键词：砷化镓 微波场效应晶体管 通信卫星 可靠性 
通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术被引量：2
《半导体情报》1999年第6期53-55,共3页徐立生 马素芝 何建华 
叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法， 利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２
关键词：微波 场效应晶体管 可靠性 通信卫星 砷化镓 
微波场效应晶体管开关
《电子对抗技术》1989年第1期31-34,共4页刘扬英 
本文叙述了微波场效应晶体管(FET)开关的基本工作原理,重点讨论7.5～16.5GHz单刀三掷有源FET开关的设计考虑和设计方法。对于所设计的这种7.5～16.5GHz FET单刀三掷频段转换开关,测得的性能为:开关速度<60ns,插损为-4～+4dB,隔离≥20dB...
关键词：微波 效应晶体管 开关 
用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管
《微纳电子技术》1976年第1期58-60,共3页邓先灿 
据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的...
关键词：场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 肖特基势垒 金属-半导体接触 
微波场效应晶体管的研制
《微纳电子技术》1975年第4期1-21,共21页Michacl.C.Drirer 东邵 晓白 
本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止...
关键词：夹断电压 厚度 器件 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 千兆赫 外延层 输出功率 肖特基势垒 金属-半导体接触 毫瓦 载流子浓度 载流子密度 栅长 自对准工艺 击穿电压 光致抗蚀剂 光刻胶 抗腐蚀 跨导 饱和电流 小信号增益 
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