单极晶体管

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集成电路知识竞赛
《集成电路应用》2016年第2期38-42,共5页迪建 
关键词：场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 半导体材料 电工材料 石墨烯 知识竞赛 
创维8TT6机芯逆变器板维修图解
《家电检修技术》2013年第3期24-24,共1页杨易触 
C34、C35、C36为高压电容,接升压变压器的输出端,与升压变压器配合,产生交流高压。易发生开路故障或短路击穿故障,引发屏幕无光或亮一下即灭的故障现象IC02、IC03是双MOS场效应晶体管,内含一个N沟道MOS场效应晶体管和一个P沟道MOS场效...
关键词：背光灯 屏幕 输出端 故障现象 升压变压器 电力变压器 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 退耦电容器 推挽放大 熔丝 
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功
《半导体信息》2009年第2期12-13,共2页江兴 
关键词：场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 纳米棒 ZNO 
集成电路发展大事记
《电子科技》2001年第10期46-,共1页
关键词：DRAM SRAM MHZ 微处理器 RCA 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 
《半导体情报》一九八○年一至六期题目索引
《微纳电子技术》1980年第6期91-93,共3页
关键词：场效应晶体管 微波 单极晶体管 场效应器件 电磁波 双异质结激光器 题目 通检 检索工具 索引 情报 
国产MOS场效应晶体管阈值电压不稳定性的初步探讨
《上海师范大学学报（自然科学版）》1980年第1期41-46,共6页孙沩 陈心和 
本文阐述了引起 MOS 场效应晶体管阈值电压不稳定性的几种主要因素,介绍国外对 p 沟 MOS 晶体管所做的加速试验的结果。对国产 MOS 晶体管的阈值电压进行了 BT 试验。同一类型的管子在不同应力下观察到类似的现象。作图表示阈值电压漂...
关键词：场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 阈值电压 MOS 不稳定性 
砷化镓场效应晶体管的噪声性能
《微纳电子技术》1978年第3期48-54,共7页Robert A.Pucel 赵克俊 
一、引言砷化镓肖特基势垒场效应晶体管是在X波段和更高频率上显示线性功率放大性能的第一个三端固体器件。它的独特的信号处理能力和低噪声特性已为许多工作者所证明。例如,在10千兆赫时,其噪声系数接近3分贝的已有报导,而理论上预计...
关键词：场效应晶体管 窄带 理论值 单极晶体管 场效应器件 栅长 噪声发生器 噪声性能 迁移率模型 噪声系数 漏电流 栅电极 沟道 寄生电阻 外延层 缓冲层 
用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管
《微纳电子技术》1976年第1期58-60,共3页邓先灿 
据了解,西德慕尼黑西门子公司的W·Kellner等人1975年8月在美国华盛顿举行的《国际电子器件会议》上作了“用硫注入砷化镓制作的微波场效应晶体管”的报告。该报告的摘要如下:对于制备砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）所需的...
关键词：场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 肖特基势垒 金属-半导体接触 
用于制作场效应晶体管的砷化镓的电解腐蚀及电子迁移率
《微纳电子技术》1975年第4期46-51,共6页D.L.Rode 关久辉 
本文介绍了n型砷化镓的电解腐蚀技术,此工艺用来制作场效应晶体管管芯片,可把较厚的并且不均匀的材料腐蚀成均匀的外延薄层。用这种方法制备的薄外延层样品的霍耳效应测量表明,对于减薄到2100埃厚的外延层,其迁移率与砷化镓材料体迁移...
关键词：电子迁移率 厚度 霍耳效应 减薄 电导率 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 外延层 砷化镓 砷化物 
微波场效应晶体管的研制
《微纳电子技术》1975年第4期1-21,共21页Michacl.C.Drirer 东邵 晓白 
本报告叙述了能给出微波功率的砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管的研究结果。这个方案在3千兆赫下已达到1.2瓦的饱和功率,它是在单个的基片载体上由六个栅宽为500微米的小器件并联而成。在3千兆赫下单个器件的小信号增益高达10分贝(截止...
关键词：夹断电压 厚度 器件 场效应晶体管 单极晶体管 场效应器件 千兆赫 外延层 输出功率 肖特基势垒 金属-半导体接触 毫瓦 载流子浓度 载流子密度 栅长 自对准工艺 击穿电压 光致抗蚀剂 光刻胶 抗腐蚀 跨导 饱和电流 小信号增益 
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