张卫红

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：HFETALGAN/GAN欧姆接触更多>>
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AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
《固体电子学研究与进展》2004年第1期142-144,共3页焦刚 曹春海 薛舫时 杨立杰 王泉慧 王柏年 金龙 张卫红 沈波 周玉刚 郑有炓 
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· c...
关键词：欧姆接触 工艺兼容性 ALGAN/GAN 异质结构 HFET 
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