金龙

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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：HFETHBTALGAN/GANALGAAS/GAAS毫米波更多>>
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AlGaN/GaN异质结构欧姆接触的研制
《固体电子学研究与进展》2004年第1期142-144,共3页焦刚 曹春海 薛舫时 杨立杰 王泉慧 王柏年 金龙 张卫红 沈波 周玉刚 郑有炓 
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· c...
关键词：欧姆接触 工艺兼容性 ALGAN/GAN 异质结构 HFET 
AlGaAs／GaAs毫米波HBT的研制
《固体电子学研究与进展》1994年第2期190-191,共2页吴英 钱峰 陈新宇 邵凯 郑瑞英 肖秀红 葛亚芬 金龙 
ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ毫米波ＨＢＴ的研制吴英，钱峰，陈新宇，邵凯，郑瑞英，肖秀红，葛亚芬，金龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＴｈｅＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＨＢ...
关键词：异质结 双极晶体管 极高频 砷化镓 
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