多栅砷化镓单片集成双刀双掷功率开关  

Multi－gate GaAs MMIC DPDT Power Switches

作　　者：陈继义[1] 蒋幼泉[1] 陈堂胜[1] 刘琳[1] 王泉慧[1] 吴禄训 李祖华[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第4期414-414,共1页Research & Progress of SSE

关 键 词：砷化镓 MMICDPDT 功率开关 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN304.23