陈继义

作品数：26被引量：25H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAASMMIC可变衰减器相移更多>>
发文领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》《微波学报》《电子元器件应用》更多>>
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多栅GaAs MESFET开关被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第2期212-214,248,共4页洪倩 陈新宇 郝西萍 陈继义 蒋幼泉 李拂晓 
论述多栅开关的结构和特点。开关设计中需要考虑的一个重要因素是提高开关功率处理能力的同时减小插损 ,多栅开关由于其特殊的结构 ,很好地解决了这一问题。采用多栅结构 ,设计的移动通讯用 DPDT开关在 DC-2 GHz:IL<0 .75 d B,ISO>1 3 d...
关键词：多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 
多栅GaAs MESFET开关的结构设计
《Journal of Semiconductors》2004年第4期450-453,共4页陈新宇 郝西萍 陈继义 
论述了多栅开关的结构和特点 .针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析 ,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时 ,开关性能最优 。
关键词：多栅 开关 金属半导体场效应晶体管 砷化镓 栅栅间距 
一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2003年第2期186-188,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 
介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1...
关键词：砷化镓微波单片集成电路 超宽带 低相移 可变衰减器 GAAS MMIC 
宽带GaAs MESFET开关模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第2期189-192,共4页陈新宇 徐全胜 陈继义 陈效建 郝西萍 李拂晓 蒋幼泉 
提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
关键词：开关模型 MESFET MMIC电路 金属半导体场效应晶体管 GAAS 砷化镓 等效电路 
高成品率砷化镓DPDT单片射频开关被引量：2
《固体电子学研究与进展》2003年第2期202-204,245,共4页李拂晓 蒋幼泉 陈继义 钮利荣 高建峰 邵凯 杨乃彬 
采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度...
关键词：砷化镓 DPDT 射频开关 单片开关 GAAS 手机 
宽带GaAs三栅MESFET开关模型
《Journal of Semiconductors》2002年第8期852-854,共3页陈新宇 陈继义 郝西萍 洪倩 蒋幼泉 李拂晓 陈效建 
提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .
关键词：开关模型 宽带 三栅MESFET 砷化镓 单片电路 
用于手机砷化镓MMIC射频开关的研制被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第3期326-328,共3页蒋幼泉 陈继义 李拂晓 高建峰 徐中仓 邵凯 陈效建 杨乃彬 
报道一种用于手机的高功率、低插损砷化镓 MMIC射频开关。该产品在 870～ 970 MHz下 ,线性功率容量 >3 3 d Bm,插入损耗 (IL) <0 .6d B,隔离度 (Iso)≥ 1 7d B,反向三阶交调 (PT0 1 )≥ 70 d Bm,控制电压 :(0 ,-4) V。
关键词：手机 砷化镓单片集成电路 双刀双掷开关 多栅场效应晶体管 
GaAs MESFET开关模型
《微波学报》2002年第2期85-87,共3页陈新宇 陈继义 郝西萍 李拂晓 邵凯 杨乃彬 
本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。
关键词：开关 模型 金属半导体场效应晶体管 微波单片集成电路 
一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
《电子元器件应用》2002年第2期16-18,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 
介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波...
关键词：砷化镓微波单片集成电路 超宽带 相移 多功能 可变衰减器 成品率 可靠性 
一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
《电子元器件应用》2002年第1期16-18,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 
介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻...
关键词：砷化镓 集成电路 移动通信 相移 可变衰减器 可靠性 
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