宽带GaAs三栅MESFET开关模型  

Broadband Model of GaAs Triple Gates MESFET

作　　者：陈新宇[1] 陈继义[1] 郝西萍[1] 洪倩[1] 蒋幼泉[1] 李拂晓[1] 陈效建[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第8期852-854,共3页半导体学报（英文版）

摘　　要：提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .A model of switch using GaAs triple-gates MESFET is described.Based on the structure of the triple gates MESFET and the effect of the gate to RF transmitting,the model is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic.The simulation and measurement results are in excellent agreement with each other.

关 键 词：开关模型 宽带 三栅MESFET 砷化镓 单片电路 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]