砷化镓微波单片集成电路

作品数：12被引量：21H指数：3
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反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现被引量：5
《半导体技术》2009年第8期807-810,共4页刘文杰 刘志军 高学邦 
介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18GHz频带,增益大于6dB,输入输出驻波比3∶1;采用5～8V单电源供电,电流35mA,芯片面积1.5m...
关键词：宽带放大器 砷化镓微波单片集成电路 场效应管 反馈 单电源 
宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：1
《微纳电子技术》2009年第8期498-501,共4页刘文杰 吴洪江 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整...
关键词：宽带 砷化镓微波单片集成电路 PHEMT 微波开关 兰格耦合器 
砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究被引量：2
《电子产品可靠性与环境试验》2007年第2期43-48,共6页王蕴辉 莫郁薇 吴海东 张增照 古文刚 聂国健 
在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的...
关键词：微波单片集成电路 可靠性预计 寿命试验 
GaAs MMIC开关MESFET电路建模技术研究被引量：5
《南京理工大学学报》2006年第5期612-617,共6页戴永胜 方大纲 
国家自然科学基金(60171017)国防科技重点实验室基金
基于Agilent公司的IC-CAP软件及GaAs圆片工艺加工线,研究了砷化镓微波毫米波单片集成电路(GaAs M-MMIC)开关MESFET电路建模技术及其应用。讨论了MMIC设计中电路建模技术的重要性,提出了高精度GaAs MMIC开关MESFET简化电路模型及不同栅...
关键词：砷化镓微波单片集成电路 开关场效应晶体管模型 电路模型参数 微波控制电路 多倍频程 
传媒重量级
《兵器知识》2005年第5期54-54,共1页
本栏目荟萃各家媒体信息,既不代表本刊赞同其观点,亦非证实其内容,仅供有兴趣之读者参考。中国新式预警机试飞据香港媒体报道,中国国产新式大型预警机近日在南京上空频繁试飞引起多方关注。据专家介绍,这架称作"空警"-2000的预警机采用...
关键词：固态有源相控阵雷达 预警机 高速数据处理 媒体信息 接口装置 雷达天线 数据总线 中国设计 榴弹炮 砷化镓微波单片集成电路 
我国“空警-2000”预警机问世
《军民两用技术与产品》2005年第4期9-9,共1页
已频繁试飞的国产大型预警机——“空警-2000”，采用了相控阵雷达技术．比目前美国和俄罗斯的产品还要先进。“空警-2000”的问世，填补了我军没有装备预警机的空白．其先进的雷达技术，令全世界震惊。该预警机采用俄制伊尔-76为载机...
关键词：预警机 砷化镓微波单片集成电路 固态有源相控阵雷达 雷达技术 数据处理 俄罗斯 显控台 试飞 载机 
砷化镓微波单片集成电路的失效分析被引量：1
《电子元件与材料》2003年第9期30-32,共3页郑丽香 莫郁薇 吴海东 张增照 
通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 失效分析 
一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器被引量：5
《固体电子学研究与进展》2003年第2期186-188,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 
介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1...
关键词：砷化镓微波单片集成电路 超宽带 低相移 可变衰减器 GAAS MMIC 
新颖的超小型多倍频程5位GaAs数字移相器被引量：1
《电子元器件应用》2002年第11期19-20,54,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 陈效建 林金庭 
介绍一种新颖的超小型多倍频程5位GaAs MMIC数字移相器的设计、制造和性能。电路拓扑特定选择工艺参数变化对电性能影响最小的方案,22.5°和11.25°相移位采用共享一个兰格耦合器的电路拓扑,在5GHz～20GHz频率范围内,获得低峰值相移误差...
关键词：多倍频程 数字移相器 砷化镓微波单片集成电路 兰格耦合器 
一种新颖的DC-50GHz低插入相移MMIC可变衰减器
《电子元器件应用》2002年第2期16-18,共3页戴永胜 陈堂胜 俞土法 刘琳 杨立杰 陈继义 陈效建 林金庭 
介绍了一种新颖的DC-50GHz低相移、多功能的GaAs MMIC可变衰减器的设计与制作,获得了优异的电性能.微波探针在片测试结果为:在DC-50GHz频带内,最小衰减≤3.8dB,最大衰减≥35±5dB,最小衰减时输入/输出驻波≤1.5,最大衰减时输入/输出驻波...
关键词：砷化镓微波单片集成电路 超宽带 相移 多功能 可变衰减器 成品率 可靠性 
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