反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现  被引量:5

Design of Feedback Broadband MMIC Amplifier

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作  者:刘文杰[1] 刘志军[1] 高学邦[1] 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出  处:《半导体技术》2009年第8期807-810,共4页Semiconductor Technology

摘  要:介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2~18GHz频带,增益大于6dB,输入输出驻波比3∶1;采用5~8V单电源供电,电流35mA,芯片面积1.5mm×1.5mm×0.1mm。具有面积小,使用方便的特点,可以用来补充通道增益,也可以多级级联,用于增益需求比较高的场合,可广泛应用于各种微波系统。A feedback broadband GaAs MMIC amplifier designed with Agilent ADS was described. It's a single stage field effect transistor amplifier. The amplifier covers 2-18 GHz bandwidth, it's power gain is more than 6 dB, VSWR is about 3 : 1. The circuit adopts 5-8 V single supply with 35 mA operation current. The chip size is 1.5 mm × 1.5 mm × 0.1 mm. The amplifier is easy to use, with small size and can be cascaded for more gain. It can be used in many different microwave systems.

关 键 词:宽带放大器 砷化镓微波单片集成电路 场效应管 反馈 单电源 

分 类 号:TN722.16[电子电信—电路与系统]

 

参考文献:

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引证文献:

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