刘志军

作品数：8被引量：36H指数：4
导出分析报告
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：单片宽带数控衰减器低噪声放大器多功能芯片更多>>
发文领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-8
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于GaN HEMT的13～17GHz收发多功能芯片被引量：4
《半导体技术》2017年第8期586-590,625,共6页张磊 付兴昌 刘志军 徐伟 
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统。该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特...
关键词：多功能芯片(MFC) 氮化镓 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器(PA) 低噪声放大器(LNA) 
2～12GHz集成E/D驱动功能的数控衰减器单片被引量：11
《半导体技术》2013年第4期254-258,共5页刘志军 陈凤霞 高学邦 崔玉兴 吴洪江 
在GaAs衬底上集成增强/耗尽型数字驱动器和数控衰减器,实现了数字电路与微波电路的一体化集成。数字部分采用直接耦合场效应逻辑结构实现,具有结构简单、速度快和功耗低等优点。2～12 GHz 6 bit数控衰减器,内置6位并行驱动电路,控制端...
关键词：增强 耗尽型 均方根衰减误差 TTL 数控衰减器 赝配高电子迁移率晶体管 
一款高精度大衰减量单片数控衰减器被引量：9
《半导体技术》2012年第1期59-62,共4页刘志军 高学邦 
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减器电路设计流程分别作了相应的描述。针对不同衰减值的基本衰减...
关键词：大衰减量 高精度 单片式微波集成电路 数控衰减器 砷化镓 
反馈式宽带MMIC放大器的设计与实现被引量：5
《半导体技术》2009年第8期807-810,共4页刘文杰 刘志军 高学邦 
介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18GHz频带,增益大于6dB,输入输出驻波比3∶1;采用5～8V单电源供电,电流35mA,芯片面积1.5m...
关键词：宽带放大器 砷化镓微波单片集成电路 场效应管 反馈 单电源 
C波段高增益低噪声放大器单片电路设计被引量：4
《微纳电子技术》2009年第7期437-440,445,共5页刘志军 高学邦 吴洪江 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在低频端产生的振荡,提出了在第三级PHEMT管的栅极和地之间放置...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 C波段 低噪声放大器 微波单片集成电路 电磁仿真 
DC～20GHz宽带单片数控衰减器被引量：4
《半导体技术》2009年第3期287-290,共4页刘志军 方园 高学邦 吴洪江 
介绍了五位数控衰减器单片电路的主要技术指标和设计方法。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAsPHEMT工艺技术实现。利用版图电磁仿真验证技术,实现了全态附加相移小的目标。工作频率为DC～20GHz,全态衰减附加相移小于等于±3°,驻波...
关键词：宽带 衰减附加相移 微波单片集成电路 数控衰减器 电磁仿真 
C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计被引量：1
《半导体技术》2008年第10期923-926,共4页王德宏 刘志军 刘文杰 高学邦 吴洪江 
主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标。电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现。通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路。本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5-6 GHz,噪...
关键词：C波段 低噪声放大器 单片微波集成电路 
GaAs PHEMT开关模型的研究被引量：1
《半导体技术》2006年第3期183-185,共3页谢媛媛 高学邦 魏洪涛 王绍东 刘志军 
GaAs ASIC国家重点实验室基金资助项目(51432050103DZ2302)
论述了GaAs PHEMT开关器件的建模,介绍了利用微波电路设计软件ADS建立GaAs PHEMT 开关模型的方法,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。提取开关模型是研制控制电路的关键, 特别是对于MMIC电路。一种0．5 μm GaAs PHEMT开关器...
关键词：GAAS PHEMT开关 等效电路模型 布局设计 建模 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部