张磊

作品数：1被引量：4H指数：1
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基于GaN HEMT的13～17GHz收发多功能芯片被引量：4
《半导体技术》2017年第8期586-590,625,共6页张磊 付兴昌 刘志军 徐伟 
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺设计制作了一款收发(T/R)多功能芯片(MFC),主要用于射频前端收发系统。该芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关用于选择接收通道或发射通道工作,芯片具有低噪声性能、高饱和输出功率和高功率附加效率等特...
关键词：多功能芯片(MFC) 氮化镓 单片微波集成电路(MMIC) 功率放大器(PA) 低噪声放大器(LNA) 
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