砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究  

The Research on Reliability Prediction Model for MMIC

作　　者：王蕴辉[1] 莫郁薇[1] 吴海东[1] 张增照[1] 古文刚[1] 聂国健[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2007年第2期43-48,共6页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：在对微波单片集成电路(MMIC)的失效模式和失效机理进行分析的基础上,提出了砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)的可靠性预计数学模型,并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT。在大量统计工艺数据和文献数据的基础上,获得了可靠性预计模型中的其它系数。The reliability prediction model for domestic MMICs is presented based on analyzing the failure mode and mechanism. By the accelerated life teat, the MMIC＇s basic failure rate and the temperature factor πT are Obtained. Based on a great deal of processing data and literature, the other factors of the model are obtained also.

关 键 词：微波单片集成电路 可靠性预计 寿命试验 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学]