兰格耦合器

作品数：12被引量：20H指数：2
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一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究
《电子与封装》2018年第7期35-38,共4页梁广华 贾世旺 赵飞 韩威 徐亚新 庄治学 陈雨 刘晓兰 何超 
根据介质隔离兰格耦合器的结构特点,设计了基于BCB介质桥的兰格耦合器的加工工艺流程。通过对工艺流程中的关键技术和重要影响因素进行分析,得到了加工过程中的工艺参数。按此工艺参数进行加工,得到兰格耦合器样件,与空气桥兰格耦合器相...
关键词：光敏BCB 光刻工艺 兰格耦合器 介质桥 介质固化 
氮化镓GaN在射频RF功率放大器的应用
《集成电路应用》2018年第2期67-70,共4页刘晓文 
贵州省科技型中小企业技术创新资金(13C26215205221)
对于提供最佳功率、效率和带宽的权衡促进了各种不同的研发技巧和半导体技术。每一种不同拓扑和技术都有可能在半导体市场占据一席之地,这是因为它们每一个都有优势,这也是它们能够在当前生存的原因所在。这里关注几个值得信赖的结果,...
关键词：功率放大器 射频 氮化镓 兰格耦合器 
平衡式宽带低噪声放大器设计被引量：5
《电子科技》2017年第8期138-141,共4页付鲲 朱红雷 刘伟 仝飞 
西安邮电大学创新基金(CXL2014-36)
针对现代通信对于通信数据容量的需求,接收机的前端电路的低噪声放大器需要满足宽带设计指标。平衡式放大器结构的使用和对耦合器优化设计可以在满足宽带设计指标的前提下,降低产品成本。使用射频仿真软件ADS对设计的电路进行仿真,结果...
关键词：平衡式宽带 兰格耦合器 高电子迁移率晶体管 低噪声 先进设计系统 
Q波段2W平衡式GaAs pHEMT功率MMIC被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第4期293-297,共5页陶洪琪 张斌 周强 
报道了一款采用0.15μm GaAs功率MMIC工艺研制的Q波段平衡式功率放大器芯片。芯片采用Lange耦合器进行功率合成。在该平台工艺规则限制条件下,按照传统设计方法设计的Lange耦合器无法满足平衡式放大器设计需求。文中提出了解决方法,对La...
关键词：GAAS 功率放大器 Q波段 平衡式 兰格耦合器 
基于ADS的兰格耦合器的设计与测试被引量：1
《黎明职业大学学报》2010年第1期45-48,共4页李祥福 
为了简化兰格耦合器设计过程及优化其电路结构,提出一种使用ADS软件设计兰格耦合器设计的方法,并对所设计兰格耦合器进行S型弯曲处理,减小电路体积。通过ADS软件仿真优化计算出这种S型兰格耦合器的结构尺寸,利用微细微带工艺加工出实物...
关键词：ADS S型兰格耦合器 WCDMA 
一种具有高隔离度的双频双圆极化卫星通信天线被引量：7
《电子学报》2009年第12期2829-2832,共4页李建峰 孙保华 张军 刘其中 
提出了一种新型的用于卫星通信的双频双圆极化多层微带贴片天线.该天线采用兰格耦合器正交馈电,分别在420±1.5MHz和450MHz±1.5MH的收发频率实现右旋和左旋圆极化辐射,且满足单一天线收发双工的通信要求;采用耦合贴片馈电方式和附加集...
关键词：高隔离度 兰格耦合器 耦合馈电 双频双圆极化 微带天线 
宽带GaAs MMIC开关耦合器芯片设计被引量：1
《微纳电子技术》2009年第8期498-501,共4页刘文杰 吴洪江 高学邦 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2009CB320200)
介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制。在GaAspHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上，在实现二路功率分配功能的同时，还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能。该芯片频率范围覆盖6～18GHz，在整...
关键词：宽带 砷化镓微波单片集成电路 PHEMT 微波开关 兰格耦合器 
4～12GHz三级宽带功率放大器被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期35-37,共3页陈中子 陈晓娟 姚小江 袁婷婷 刘新宇 李滨 
设计并制作了一个宽带功率放大器,频率为4～12GHz。该放大器采用三级级联的形式,其中后两级采用自行设计、制作的宽带混合集成电路模块。该混合集成电路模块采用4指兰格耦合器的平衡放大器电路形式,以实现其宽带特性以及较大功率输出。...
关键词：宽带功率放大器 平衡放大器 兰格耦合器 混合集成电路 
8～18GHz微波低噪声放大器的设计与实现被引量：1
《固体电子学研究与进展》2008年第1期75-80,共6页董建明 王安国 何庆国 郭文椹 李振国 
国家重点基础研究发展规划项目(2007CB310605)资助
采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。
关键词：膺配高电子迁移率晶体管 平衡式结构 宽带低噪声放大器 兰格耦合器 
CAD技术在宽带兰格耦合器设计中的应用
《集成电路通讯》2004年第4期28-32,共5页潘结斌 苏兴华 唐袁华 胡建 李秋丽 
文中着重叙述了CAD软件在兰格耦合器电路设计中的优化、工艺参数的模拟等方面的应用,经综合CAD技术应用电路实测值同CAD软件仿真的数值相吻合。
关键词：CAD技术 兰格耦合器 电路优化 工艺参数模拟 电路设计 计算机辅助设计 
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