8～18GHz微波低噪声放大器的设计与实现  

Design and Implementation of 8～18 GHz Microwave Low Noise Amplifier

作　　者：董建明[1] 王安国[1] 何庆国[2] 郭文椹[2] 李振国 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072 [2]中国电子科技集团第13研究所,石家庄050051

出　　处：《固体电子学研究与进展》2008年第1期75-80,共6页Research & Progress of SSE

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(2007CB310605)资助

摘　　要：采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器,测试结果:在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30dB,增益平坦度小于3dB,噪声系数小于2.0dB,输入输出驻波比小于2.5,1dB压缩点输出功率为15.8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。A broadband pHEMT low noise amplifier was designed and manufactured.Microstrip circuit and balanced techniques were used to design the circuit.The amplifier was assembled on Al2O3 substrate,covering the frequency of more than 1 octave band range from 8 GHz to 18 GHz,achieving performances measured:gain>30 dB,gain flatness<3 dB,noise figure<2.0 dB,input and output VSWR<2.5,and 1 dB compress point output power 15.8 dBm.

关 键 词：膺配高电子迁移率晶体管 平衡式结构 宽带低噪声放大器 兰格耦合器 

分 类 号：TN722.3[电子电信—电路与系统]