宽带GaAs MESFET开关模型  

A Switching Model of GaAs MESFET for Broadband Application

作　　者：陈新宇[1] 徐全胜[2] 陈继义[1] 陈效建[1] 郝西萍[1] 李拂晓[1] 蒋幼泉[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016 [2]总装备部情报研究所,北京100036

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第2期189-192,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。This paper discusses a switching model of GaAs MESFET. It is suitable for MMIC design with broad frequency characteristic. The measured results are in agreement with the simulated data in the frequency range of 0.1～20 GHz.

关 键 词：开关模型 MESFET MMIC电路 金属半导体场效应晶体管 GAAS 砷化镓 等效电路 

分 类 号：TN386.6[电子电信—物理电子学]