多栅

作品数：21被引量：12H指数：2
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基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
基于ModelBuilder的多矢量多栅格数据裁剪工具构建
《测绘与空间地理信息》2024年第10期31-33,37,共4页杜宁 崔嘉 
天津市水运工程测绘技术企业重点实验室基金项目(SJY202106)资助。
在地理数据处理中,裁剪数据是常见操作。当有多个矢量数据裁剪多个栅格数据时,常规的数据裁剪工具耗时费力。为了解决这一问题,本文采用ArcMap中的ModelBuilder构建了多矢量多栅格批量裁剪工具。该工具应用镶嵌功能,将构建的子模型工具...
关键词：多矢量数据 多栅格数据 批量裁剪 ModelBuilder 镶嵌 
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1
《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前 王悦杨 唐敏 刘伟景 
国家自然科学基金(62174055)。
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型 直流特性 参数提取 
无线无源多栅格结构式温压传感器设计与制备
《微纳电子技术》2024年第3期112-119,共8页张子瑞 高尚 
针对高温、高压等恶劣环境下的温度和压力参数测量,基于微波散射原理和高温共烧陶瓷(HTCC)技术设计了一种无线无源多栅格结构式温压传感器,能够实现25~800℃内温度的测量和0~300 kPa内压力的测量。使用高频电磁仿真软件对传感器进行结...
关键词：压力传感器 高温共烧陶瓷(HTCC) 温度传感器 无线无源 有限元分析 谐振频率 
多栅Fin FET性能研究及参数优化被引量：2
《电子工业专用设备》2019年第5期61-67,共7页黄宁 刘伟景 李清华 杨婷 
利用TCAD软件搭建高效的双栅及三栅FinFET模型,研究影响多栅器件性能的相关参数。结果显示,随着栅极有效控制面积的增加,器件栅控能力得到明显增强。当三栅FinFET栅长缩减至10nm,鱼鳍高度及鱼鳍宽度分别取Fh=40nm,Fw=5nm时,器件亚阈值...
关键词：多栅器件 三栅FinFET 高K栅介质 短沟道效应 
GaN基HFET多栅指结构自加热效应及其优化
《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》2015年第5期60-62,共3页董艳红 吴云飞 王洪涛 崔虹云 张漫 
佳木斯大学2013科学技术研究面上项目(L2013-084);佳木斯大学2014科学技术研究面上项目(L2014-020)
研究了在大功率工作条件下的Ga N HFET器件的自加热效应。当Ga N HFET器件工作在大功率条件下时所产生的自加热效应,将会使得器件的有源沟道层的温度升高,影响到器件的工作特性。首先分析了多栅指结构的Ga N HFET器件在一定功耗条件下...
关键词：GAN HFET 自加热效应 优化结构 
一种新型的并行化多栅光流计算实现方法
《电子科学技术》2015年第4期475-481,共7页乔峰 
北京市博士后工作经费资助
计算机架构发展的新趋势表明,并行处理正在进入通过许多核心处理器和多核嵌入式芯片进行计算的新领域,这意味着传统的计算机领域必须使用并行编程开发应用程序,特别是在生物医学图像处理领域并行应用程序将起到关键的作用。本论文研究...
关键词：CnC 多核计算 并行编程模型 多栅光流 
γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析
《强激光与粒子束》2014年第8期252-256,共5页潘立丁 石瑞英 龚敏 刘杰 
国家自然科学基金项目(61176096)
在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移...
关键词：多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真 
沟道形状对无结型多栅器件性能影响探究
《微电子学》2014年第3期380-383,共4页胡梦月 梁仁荣 王敬 许军 
国家重点基础研究发展规划项目(2011CBA00602);国家科技重大专项(2009ZX02035-004-01;2011ZX02708-002)
随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度,摩尔定律的延续受到一定的挑战,纳米技术代的晶体管亟需全新的材料、器件结构和工艺集成技术。在器件结构方面,无结型场效应晶体管由于其近似理想的电流电压特性、优良的等比例缩小能力以及极其简单...
关键词：无结型晶体管 沟道形状 短沟道效应 
多栅栏技术结合HACCP系统在肉品加工储贮中的应用被引量：2
《中国畜牧兽医文摘》2013年第7期186-186,共1页孙信仁 程明 王彩凤 
栅栏技术是多种技术的科学结合,利用技术协同作用阻止食品品质的劣变,将食品的危害性以及在加工和商业销售过程中品质的恶化降低到最小程度[1],它是食品保藏的根本所在。Leistner把食品防腐的方法或原理归结为：高温处理、低温冷藏、降...
关键词：栅栏技术 肉品加工 HACCP系统 应用 食品品质 氧化还原电势 食品安全性 协同作用 
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