GaAs MESFET开关模型  

The Model of GaAs MESFET Switch

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作  者:陈新宇[1] 陈继义[1] 郝西萍[1] 李拂晓[1] 邵凯[1] 杨乃彬[1] 

机构地区:[1]南京电子器件研究所,南京210016

出  处:《微波学报》2002年第2期85-87,共3页Journal of Microwaves

摘  要:本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。A model of GaAs MESFET is discussed in this paper. It's suit for MMIC design with broad frequency characteristic. The measured results are tallied with the simulated data in the frequency range of 0.1~20GHz .

关 键 词:开关 模型 金属半导体场效应晶体管 微波单片集成电路 

分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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