专利  

出　　处：《中国钼业》2014年第3期42-42,共1页China Molybdenum Industry

摘　　要：本发明公开了一种刻蚀金属钼材料的方法，在金属钼材料上形成刻蚀掩膜，然后采用高密度等离子体（如ICP、TCP等）干法刻蚀工艺，产生高密度、高能量离子和自由基，实现了对金属钼体材料的高速率、各向异性刻蚀。刻蚀速率可达2．63μm／min，刻蚀结果侧壁的陡直度可达70°。基于本发明的方法，可利用金属钼衬底基片作为制备MEMS器件的主体材料。

关 键 词：高密度等离子体 刻蚀工艺 专利 各向异性刻蚀 MEMS器件 主体材料 金属钼 能量离子 

分 类 号：TB34-18[一般工业技术—材料科学与工程]