一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计  

Design of K-band Voltage-controlled Oscillator with GaAs MESFET

作　　者：刘海文[1] 孙晓玮[1] 钱蓉[1] 周旻[1] 李征帆[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 [2]上海交通大学电子工程系,上海200030

出　　处：《压电与声光》2003年第2期159-161,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家"八六三"高科技计划资助项目(2002AA135270)

摘　　要：利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc/Hz@100kHz,满足实际应用。This paper presents the design of a Kband VCO using GaAs metal semiconductor fieldeffect transistor(MESFET)as active device.A 100 MHz continuous tuning bandwidth is achieved with an output power of 2 mW.The center of oscillator frequency bandwidth is 2056 GHz.The phase noise level of90 dBc/Hz for offset frequency of 100 kHz is measured at 2056 GHz.The VCO is proved by simulation and experiment results.

关 键 词：负阻特性 微带结构 S参数法 微波VCO 变容管调谐 

分 类 号：TN75[电子电信—电路与系统]