多能级闪存的总剂量辐射效应  

Total Dose Irradiation Effects on Multi-Level Flash Memories

作　　者：孟宣华 殷光迁[1] 顾靖[1] 何国伟[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第6期656-662,共7页半导体学报（英文版）

摘　　要：介绍了一种新型的存储技术——多能级存储 ,并对应用此技术的多能级闪存进行 γ射线辐射 ,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律 .A new flash memory based on multi-level storage technique is introduced,and the gamma irradiation effects on such multi-level flash memory are investigated.The threshold voltage and the cell's electrical performance related to the total-dose,dose rate and time are studied in detail.The experiment results are discussed.

关 键 词：多能级闪存 浮栅 Γ射线 辐射效应 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]