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作 者:王研[1] 郑丽芬[1] 胡晓东[1] 傅星[1] 胡小唐[1]
机构地区:[1]天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室,天津300072
出 处:《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》2004年第1期33-36,共4页Journal of Tianjin University:Science and Technology
基 金:教育部重点科技项目资助(02043)
摘 要:利用扫描探针显微镜(SPM)进行电场诱导氧化加工的方法可应用于半导体微型器件和纳米电子器件的加工制作.文中研究了原子力显微镜(AFM)电场诱导氧化理论以及一些加工参数(偏置电压和加工速度)对加工结构尺寸的影响,并提出了阈值电压的概念.通过实验得出了偏压越大,加工线尺寸越大的结论,并指出随着加工速度的增大,加工线宽和线高都减小,且加工线高度和加工速度近似呈负对数关系.实验是在H钝化的Si表面上进行的.The process of field-induced oxidation using scanning tunneling microscope (STM)/atomic force microscope (AFM) can be applied to the fabrication of semiconductor micro devices and nano-electric devices. In this paper, the theory of field-induced oxidation and the impact of fabrication parameters (bias voltage and scan rate) on nanofabrication by AFM have been studied, and besides, the concept of threshold voltage has been put forward. According to the results of the experiments, it is obvious that the bias voltage is in direct proportion to oxide dimension, while the scan rate is in reverse proportion to oxide height and width. It can be also found that the oxide height has negative logarithm relation to scan rate approximately. The experiment is performed on surface of Si passivated by hydrogen.
关 键 词:AFM 加工参数 纳米加工 原子力显微镜 电场诱导氧化 偏置电压 加工速度 阈值电压
分 类 号:TB383[一般工业技术—材料科学与工程] TH742[机械工程—光学工程]
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