GaAs光阴极材料的液相外延  

作　　者：张冰阳[1] 何益民[1] 朱李安[1] 张济康[1] 高鸿楷[1] 侯洵[1] 

机构地区：[1]中国科学院西安光机所

出　　处：《稀有金属》1992年第2期130-133,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、平直、厚度均匀,载流子浓度达7.6×10^(16)cm^(-3),少子扩散长度达2.1μm。

关 键 词：砷化镓 光阴极 液相处延 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]