朱李安

作品数:7被引量:6H指数:2
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供职机构:中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
发文主题:砷化镓光电阴极GAAS光电阴极MOCVDGAAS/GE更多>>
发文领域:电子电信机械工程更多>>
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透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究
《光子学报》1998年第1期85-88,共4页米侃 朱李安 赛小峰 张景文 侯洵 
本文介绍了高精度多晶多反射X射线衍射仪的一种新的应用.首次将其应用于研究高灵敏度第三代微光象增强器中由掺Zn的p型GaAs/GaAlAs、玻璃组成的光电阴极的材料特性;发展了用倒格子空间衍射图方法评价光电阴级组件晶体质量的方法.通...
关键词:光电阴极 空间二维图 砷化镓 微光象增强型 
高分辨率多晶多反射X射线衍射仪在半导体材料分析中的应用
《光子学报》1997年第11期1003-1006,共4页朱李安 高鸿楷 何益民 贺丽 赛小锋 侯洵 
用高分辨率多晶多反射X射线衍射仪进行衍射空间的二维扫描是目前非损伤性表征半导体材料质量的手段之一.不同质量的材料在二维衍射空间中的衍射图形状不同.本文以GaAS/AlGaAs为例,展示了如何利用X射线的二维衍射空间图的形状来定性...
关键词:X射线 衍射仪 倒易空间 多晶多反射 半导体晶体 
GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析
《光子学报》1996年第10期902-905,共4页孙长印 张书明 朱李安 赛小峰 高鸿楷 侯洵 
我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇(Auger)能谱仪,以其对GaAs光电阴极的制备过程进行在线监测分析,其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测,阴极激活前清洁措施的效果评价和Cs-O激活过程中As/G...
关键词:光电阴极 热清洁 激活 俄歇分析 
NEA GaAs光电阴极激活工艺研究
《光子学报》1996年第8期745-748,共4页张书明 孙长印 朱李安 赛小峰 程昭 何益民 高鸿楷 侯洵 
本文报道了 GaAs 反射式光电阴极的激活工艺过程和结果.通过实验确定了 GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000μA/1m 的激活积分灵敏度.
关键词:光电阴极 热清洁 激活 砷化镓 铯分子源 
GaAs/Ge的MOCVD生长研究被引量:4
《光子学报》1996年第6期518-521,共4页高鸿楷 赵星 何益民 杨青 朱李安 
用常压MOCVD在Ge衬底上外延生长了GaAs单晶层,研究了GaAs和6e的极性与非极性材料异质外延生长,获得了质量优良的GaAs/Ge外延片,GaAs外延层X射线双晶衍射回摆曲线半高宽达16弧秒。10K下PL谱半峰...
关键词:MOCVD 砷化镓 异质外延 
富Sb状态下GaSb/AlGaSb异质结的液相外延生长
《光子学报》1993年第2期132-135,共4页张冰阳 何益民 朱李安 侯洵 
西安分院院长青年基金
本文分析了以往在制作GaSb/Al_xGa_(1……x)Sb结构雪崩光电二极管(APD)中存在的问题,提出了在富Sb状态下进行液相外延(LPE)生长GaSb/AlGaSb异质结APD的方法。经过多次试验获得了在富Sb状态下Al-Ga-Sb三元系相图数据,并且在富Sb状态下液...
关键词:异质结 液相外延生长 锑化镓 
GaAs光阴极材料的液相外延被引量:2
《稀有金属》1992年第2期130-133,共4页张冰阳 何益民 朱李安 张济康 高鸿楷 侯洵 
利用液相外延技术生长出了GaAs光阴极材料,并对外延后的材料进行了观察与分析,测试了外延层厚度的均匀性,外延层表面及内部的氧、碳污染以及外延层中载流子浓度的纵向分布情况。结果表明,用此法生长的外延层表面光亮、平整、界面清晰、...
关键词:砷化镓 光阴极 液相处延 
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