化合物半导体材料的现状与展望  

作　　者：刘锡田[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1992年第6期449-456,共8页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：综述了化合物半导体研究与生产的现状,最新进展及今后的展望。日本1990年化合物半导体材料销售额为235亿日元。3T-LEC法在增大单晶的长度和提高单晶质量方面已取得显著进展,直径为76mm、长30cm、重10kg的SI-GaAs单晶国外已投入批量生产。近年来,除HP-LEC法外,人们正在探索其它生长方法,如VGF(垂直梯度凝固)法、VCZ(气氛控制直拉)法和VHB(垂直布里支曼)法等等,并已取得重要进展。本文还介绍了近年来在应用方面,如HEMT、HBT、GaAs IC、可见光LD、蓝色LED等领域的最新进展。在上述内容基础上展望了化合物半导体材料今后的发展方向。

关 键 词：化合物半导体 现状 远景 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]