刘锡田

作品数：5被引量：3H指数：1
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GaAs和GaP单晶的生产与应用被引量：2
《稀有金属》1997年第4期297-300,307,共5页刘锡田 
简述了ＧａＡｓ、ＧａＰ单晶材料近年来的生产与发展，国外生产厂家、品种和规模，以及目前单晶材料在发光领域内应用的现状和发展预测。
关键词：单晶材料 砷化镓 磷化镓 化合物半导体 
n型<100>掺硫GaP单晶研制
《稀有金属》1992年第6期467-470,共4页俞斌才 邓志杰 马三胜 刘锡田 
近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加...
关键词：磷化镓 单晶 硫 掺杂剂 N型半导体 
化合物半导体材料的现状与展望
《稀有金属》1992年第6期449-456,共8页刘锡田 
综述了化合物半导体研究与生产的现状,最新进展及今后的展望。日本1990年化合物半导体材料销售额为235亿日元。3T-LEC法在增大单晶的长度和提高单晶质量方面已取得显著进展,直径为76mm、长30cm、重10kg的SI-GaAs单晶国外已投入批量生产...
关键词：化合物半导体 现状 远景 
化合物半导体发光在工业上的应用被引量：1
《稀有金属》1990年第1期51-59,共9页刘锡田 
本文论述了近年来化合物半导体发光材料与器件工业生产和研究开发的现状及展望。Ⅲ-Ⅴ族材料中的红、绿、橙、黄可见光及近红外0.85～1.7μm波段从材料到器件已进行工业规模生产,日本仅可见光发光二极管管芯年产量为50亿支以上,近年来...
关键词：化合物半导体 发光 应用 
GaAs等化合物半导体的现状与发展趋势
《稀有金属》1989年第2期178-184,共7页刘锡田 
本文评述了GaAs等有关化合物半导体材料的新进展,如9kg重HB-GaAs的生长工艺及HPLECGaAs单晶及其工艺设备的进展状况。并对GaAs IC和场效应晶体管、光电集成、量子阱和超晶格及可见光激发器等领域的研究进行了展望。
关键词：GAAS 化合物半导体 半导体材料 
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