n型<100>掺硫GaP单晶研制  

作　　者：俞斌才[1] 邓志杰[1] 马三胜 刘锡田[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1992年第6期467-470,共4页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。

关 键 词：磷化镓 单晶 硫 掺杂剂 N型半导体 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]