GaAs等化合物半导体的现状与发展趋势  

作　　者：刘锡田[1] 

机构地区：[1]北京有色金属研究总院

出　　处：《稀有金属》1989年第2期178-184,共7页Chinese Journal of Rare Metals

摘　　要：本文评述了GaAs等有关化合物半导体材料的新进展,如9kg重HB-GaAs的生长工艺及HPLECGaAs单晶及其工艺设备的进展状况。并对GaAs IC和场效应晶体管、光电集成、量子阱和超晶格及可见光激发器等领域的研究进行了展望。

关 键 词：GAAS 化合物半导体 半导体材料 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]