碳纳米管的场发射特性  

作　　者：陈绍凤[1] 夏善红[1] 宋青林[1] 胡平安[2] 刘云圻[2] 朱道本[2] 

机构地区：[1]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室，北京100080 [2]中国科学院化学研究所分子科学中心，北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期166-169,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：研究了碳纳米管的场致发射特性，实验证明碳纳米管作为场发射阴极材料具有优越性。通过对碳纳米管进行温度处理，得到了与基片附着力强的碳纳米管；测试了场发射特性，发现碳纳米管其开启电压较低(30V)。

关 键 词：碳纳米管 场致发射 一致性 

分 类 号：O462.4[理学—电子物理学]