纳米电子学  

作　　者：薛增泉[1] 张琦锋[1] 宋教花[1] 郭等柱[1] 梁学磊[2] 申志勇[1] 陈清[1] 高崧[1] 张耿民[1] 赵兴钰[1] 刘惟敏[1] 彭练矛[1] 吴锦雷[1] 吴全德[1] 

机构地区：[1]北京大学电子学系，北京100871 [2]中国科学院物理研究所，北京100080

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期17-21,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：在比较三代电子器件的基础上，说明纳电子器件是电子器件发展的新一代，它的主要特征是单电子行为和显著的量子效应，与真空电子器件、微电子器件相比，纳电子器件在信号加工中的主要特性有：(1)单电子，(2)保有相位，(3)量子电阻(h／e^2)，(4)量子字节(qubit)，(5)普适电导涨落．电子器件的基本元件是具有信号放大能力的三极管，目前纳电子三极管有两种模式：纳米点三极管和碳纳米管三极管，文中重点讨论了构造纳电子三极管中的碳纳米材料的结构和特性。

关 键 词：纳米电子学 单电子 量子字节 碳纳米管 巴基葱 碳纳米管 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]