耦合双量子点中基态电子的隧穿特性  

Characteristics of Electron Tunneling Based on Two-Coupled Quantum Dot System

作　　者：肖洁[1] 施毅[1] 熊诗杰[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第1期38-42,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :90 10 10 2 1;60 2 90 0 84);国家重点基础研究专项经费 ( No.G0 0 1CB3 0 95 )资助项目~~

摘　　要：介绍了以 Si/ Si O2 系统构成的量子异或门的工作原理 ,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性 .研究结果表明 ,通过栅压可很好地实现控制电子在两个量子点间共振隧穿 ,其隧穿时间随势垒厚度和量子点尺寸结构参数发生显著的变化 .目前模拟的特征变化曲线表明 ,可获得实验上理想的隧穿时间 (工作频率 )和相应的栅压 (工作电压 )The characteristics of an excess electron tunneling in a qubit based on the two coupled quantum dots in Si/SiO 2 system is investigated.Two of these qubits could realize quantum Controlled-Not gate.The simulated results demonstrate that the state and transfer of an excess electron in the coupled dots could well be controlled by external gate voltage with pulse time,which allows for being adjusted by the structure parameters,such as barrier thickness and dot size,of the dot system through experimental operation.It should be practically helpful for making quantum computer.

关 键 词：量子比特 隧穿时间 量子点 

分 类 号：TN204[电子电信—物理电子学]