卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应  

The Threshold Effect of Shallow Electron Traps in Silver Halide Microcrystals

作　　者：张荣香[1] 刘荣鹃[1] 耿爱丛[1] 韩理[1] 李晓苇[1] 杨少鹏[1] 傅广生[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002

出　　处：《信息记录材料》2004年第1期6-9,共4页Information Recording Materials

基　　金：河北省自然科学基金项目 (60 3 13 8) ;河北省博士基金项目 (0 15 470 12D)

摘　　要：依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。According to the basic model that describes the microcosmic dynamics process of light-generated carriers,it is analyzed that the free photoelectron decay time changes with the trap depth and density of shallow electron traps.Accordingly,the threshold effect of shallow electron traps is discussed,and the basis of the optimal doping condition of shallow electron trap dopant in silver halide is given.

关 键 词：卤化银 微晶 光生载流子 自由光电子 浅电子陷阱 阈值效应 

分 类 号：TQ571.1[化学工程—精细化工]