基于MOS管PDE模型的RF电路瞬态包络仿真算法分析  

Envelope Simulation Transient Algorithm Analysis ofRF Circuit Based on PDE Model of MOS Transistor

作　　者：杨励[1] 谭俊[1] 来金梅[1] Omar Wing 郑增钰[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》2004年第1期10-15,共6页Journal of Fudan University：Natural Science

基　　金：上海市AM基金资助项目(0002)

摘　　要：提出了以谐波平衡技术为平台,基于RF电路中MOS晶体管PDE模型的混合域瞬态包络仿真算法,解决了将MOS晶体管的PDE模型与表征电路系统的ODE耦合在一起进行数值求解的问题,并以一个功放电路为例说明了这种仿真技术的有效性.A mixed-domain envelope transient simulation technique based on harmonic balance method is presented. The PDE model of MOS transistor is embedded in RF circuits. A numerical iterative algorithm is suggested for a system, in which the PDE model of MOS transistor is coupled to the ODE of a circuit system. The algorithm is applied to the simulation of a power amplifier and the results indicate that the technique is efficient.

关 键 词：集成电路设计 RF电路 MOS晶体管PDE模型 瞬态包络仿真 谐波平衡 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]